MINATEC

Cadre du travail 
 
Cette proposition de stage s'inscrit dans le cadre du développement, au sein du département optronique du LETI, d'une activité liée à l'éclairage à l'état solide par LEDs.

Cadre du travail 
 
Cette proposition de stage s'inscrit dans le cadre du développement, au sein du département optronique du LETI, d'une activité liée à l'éclairage à l'état solide par LEDs.
Les thèmes d'étude qui sont couverts par cette activité concernent l'ensemble de la filière, de la croissance de matériau sous forme de nanofils à la technologie et à la caractérisation des diodes
 
Une des voies retenues pour développer des LEDs plus efficaces que la technologie actuelle est basée sur les quelques concepts suivants :

• Un substrat silicium qui présente par rapport à la technologie usuelle sur saphir, un intérêt de coût, d'accessibilité aux grandes surfaces et plusieurs autres avantages liés à la technologie des diodes.
• Une couche active élaborée sous forme de nanofils, dont les principaux avantages sont, entre autres, une très bonne qualité cristalline sans présence de défauts, une meilleure extraction des photons, un accès à une grande variété de substrat...
• Le matériau GaN et ces alliages (GaInN, GaAlN) qui sont déjà largement utilisés pour la fabrication de LEDs, en raison de leur gap direct et dont la largeur de bande est modulable en énergie.

 
Cette étude s'appuie sur des moyens propres mis en place au LETI et à Minatec et sur de nombreuses collaborations en particulier à l'INAC (Institut Nanosciences et Cryogénie du CEA)
Le Laboratoire d’Electronique et de Technologie de l’Information (LETI), est l’un des principaux centres européens de recherche appliquée en électronique. Son activité est consacrée à plus de 85 % à des recherches finalisées avec des partenaires extérieurs.
 
Travail demandé 
 
Le sujet proposé aura pour thème général l’élaboration par Dépôt Chimique en Phase Vapeur (CVD) de nanofils de GaN sur substrat silicium.
 
Un premier objectif concernera la croissance auto-organisée de nanofils GaN. Une étude d'optimisation des conditions de croissance et de compréhension des mécanismes qui contrôlent la morphologie, la cinétique et les qualités structurales et optiques des nanofils, constituera la partie centrale de ce travail.
 
Un deuxième objectif concernera la croissance organisée de nanofils GaN. La méthode choisie est la croissance sélective (Selected Area Growth, SAG) qui utilise un masque de croissance sélectif pour contrôler la position et la taille des nanofils.
 
Une partie importante du travail concernera les caractérisations morphologiques, structurales et optiques des couches épitaxiales. Des techniques telles que la microscopie électronique par balayage et la photoluminescence, seront utilisées par le stagiaire.
D'autres techniques, telles que l’analyse par diffraction X, le SIMS, la microscopie électronique en transmission, disponibles dans le département ou à travers des collaborations, serviront à l’optimisation des procédés de croissance.
 
Profil 
Le candidat, de formation ingénieur ou universitaire, devra régulièrement présenter l’avancement de ses travaux au sein de l’équipe projet, en faisant preuve d’une bonne capacité d’intégration.
           
Modalités pratiques
Le candidat devra envoyer un CV détaillé et une lettre de motivation au responsable technique.
La date prévisionnelle de début de contrat est mars 2011.